Mn调制掺杂InAs/InGaAs/InAlAs量子阱结构中塞曼效应的磁光研究
介观与纳米尺度物理
2015-09-30 v1 材料科学
摘要
我们报道了Mn调制掺杂InAs/InGaAs/InAlAs量子阱的磁光致发光(PL)研究。观察到两条PL谱线，分别对应于光电子与自由空穴及束缚于Mn的空穴的辐射复合。在法拉第几何构型下施加磁场时，两条谱线均分裂为两个圆偏振分量。虽然分裂的温度和磁场依赖关系可由布里渊函数很好地描述，从而提供了与自旋极化锰离子交换相互作用的证据，但给定Mn密度下分裂值超出预期巨塞曼分裂值两个数量级。讨论了这一惊人现象的可能原因。
引用
@article{arxiv.1502.06146,
title = {Magnetooptical Study of Zeeman Effect in Mn modulation-doped InAs/InGaAs/InAlAs Quantum Well Structures},
author = {Ya. V. Terent'ev and S. N. Danilov and H. Plank and J. Loher and D. Schuh and D. Bougeard and D. Weiss and M. V. Durnev and S. A. Tarasenko and I. V. Rozhansky and S. V. Ivanov and D. R. Yakovlev and S. D. Ganichev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.06146},
year = {2015}
}