InGaAs/GaAs量子阱LED异质结构中Mnδ层位置对圆偏振依赖性的模型
介观与纳米尺度物理
2009-02-23 v1 材料科学
摘要
我们提出了一个简单的模型，用于描述InGaAs/GaAs量子阱LED异质结构中Mnδ层位置对圆偏振的依赖性，该模型能够相当准确地解释近期令人着迷的实验结果[S.V. Zaitsev等人，Physica E (2009)，doi:10.1016/j.physe.2008.11.003]。该模型强调了注入空穴与Mn自旋之间依赖于位置的交换相互作用的作用，这种相互作用显著影响磁场中的空穴能级分裂，导致偏振依赖性的强烈变化。还讨论了与注入空穴能量对应的有效温度以及由几何结构不完美引起的展宽的作用。
引用
@article{arxiv.0902.3552,
title = {Model of circular polarization dependence on Mn delta-layer position in LED heterostructures with InGaAs/GaAs quantum well},
author = {D. V. Khomitsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:0902.3552},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 2 figures