Mn δ掺杂异质结构中的光学控制自旋极化记忆效应
介观与纳米尺度物理
2016-04-19 v2
摘要
我们研究了在InGaAs/GaAs:Mn结构上自旋极化光生载流子与Mn离子之间相互作用的动力学。载流子限制在InGaAs量子阱中，Mn离子来自生长在靠近量子阱的GaAs势垒处的Mn δ层。尽管载流子与Mn离子空间分离，它们之间的相互作用通过时间分辨自旋极化光致发光测量得到证明。使用具有相反圆极化的预脉冲激光激发，对于观察到强磁相互作用的样品，明显降低了量子阱发射的偏振度。结果表明，Mn离子充当可由光生载流子偏振光学控制的自旋存储器。另一方面，如通过其自旋弛豫时间观察到的，自旋极化的Mn离子也影响随后产生的载流子的自旋极化。这些效应随着脉冲间时间延迟的增加以及温度的升高而消退。
引用
@article{arxiv.1511.02881,
title = {Optically controlled spin-polarization memory effect on Mn delta-doped heterostrucutres},
author = {M. A. G. Balanta and M. J. S. P. Brasil and F. Iikawa and Udson C. Mendes and J. A. Brum and Yu. A. Danilov and M. V. Dorokhin and O. V. Vikhrova and B. N. Zvonkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.02881},
year = {2016}
}
备注
12 pages, 5 figures