InAs/GaAs 耦合量子点中电场可调的交换相互作用

耦合量子点中的自旋操控因量子信息应用而备受关注。通过外加电场控制电子与空穴间的交换相互作用，可能为这种自旋控制提供一种极具前景的技术。偏振依赖的光致发光（PL）谱被用于研究耦合量子点系统中的自旋依赖相互作用；通过改变电场，使基态空穴能级进入共振，导致分子轨道的形成，这在光谱中表现为直接跃迁与间接跃迁之间的反交叉。由于交换相互作用的变化，中性激子的间接与直接跃迁分别表现出高和低的圆偏振记忆。我们测量了偏振值之比随电场和势垒高度变化的函数关系。这些结果指出了一种在间接与直接组态之间进行调节以控制交换相互作用程度的可能方法。