退火对 InAs/GaAs 量子点中超精细相互作用的影响
其他凝聚态物理
2010-08-05 v4
摘要
本文理论分析了退火后的自组装 InAs/GaAs 量子点中电子与原子核之间的超精细相互作用。为此，我们对退火过程和量子点的能级结构进行了数值模拟。通过比较计算得出的光学跃迁与一组退火量子点的光致发光实验数据，验证了该模拟的正确性。我们计算了基态电子的局域化体积以及 In、Ga 和 As 原子核对超精细相互作用的分贡献随退火温度的变化关系。研究确定，当量子点中的 In 含量不超过 25% 时，直至较高的退火温度（），铟原子核对超精细相互作用的贡献均占主导地位。此外，我们还数值模拟了核自旋涨落对电子自旋极化的影响，发现涨落的有效场与现有实验数据吻合良好。
引用
@article{arxiv.0710.5091,
title = {Effect of annealing on the hyperfine interaction in InAs/GaAs quantum dots},
author = {M. Yu. Petrov and I. V. Ignatiev and S. V. Poltavtsev and A. Greilich and A. Bauschulte and D. R. Yakovlev and M. Bayer},
journal= {arXiv preprint arXiv:0710.5091},
year = {2010}
}