(In,Ga)As量子点中的Hanle效应：核自旋涨落的作用
介观与纳米尺度物理
2013-08-09 v1
摘要
研究了(In,Ga)As量子点中核自旋涨落在电子对核自旋动态极化中的作用。研究了横向磁场中圆偏振光泵浦下的光致发光偏振（Hanle效应）。使用平行于光轴的微弱附加磁场来控制核自旋冷却效率和核自旋温度的符号。随着该控制场的变化，Hanle曲线的形状发生剧烈改变，正如之前在体半导体和量子阱中观察到的那样。然而，基于平均核磁场（Overhauser场）的标准核自旋冷却理论无法描述一定控制场范围内的实验Hanle曲线。通过考虑量子点中有限核数目导致的核自旋涨落，解决了这一矛盾。我们提出了一个模型，描述电子自旋在核自旋涨落的随机Overhauser场中经历快速矢量进动，从而冷却核自旋系统。该模型使我们能够准确描述测量的Hanle曲线，并确定所研究量子点的电子-核自旋系统的参数。
引用
@article{arxiv.1303.4192,
title = {Hanle effect in (In,Ga)As quantum dots: Role of nuclear spin fluctuations},
author = {M. S. Kuznetsova and K. Flisinski and I. Ya. Gerlovin and I. V. Ignatiev and K. V. Kavokin and S. Yu. Verbin and D. R. Yakovlev and D. Reuter and A. D. Wieck and M. Bayer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.4192},
year = {2013}
}
备注
8 pages, 5 figures