Mn 掺杂 GaAs 中电子自旋弛豫的抑制
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
我们报道了 Mn 掺杂 p-GaAs 中电子令人惊讶的长自旋弛豫时间。自旋弛豫时间随光泵浦而变化，从黑暗中的 12 ns 增加到饱和时的 160 ns。这种行为与电子分别在电离或中性 Mn 受主的涨落场中进动的自旋弛豫率差异有关。对于后者，Mn 离子与束缚空穴之间的反铁磁交换相互作用导致这些涨落场的部分补偿，从而增强了自旋记忆。
引用
@article{arxiv.0710.0246,
title = {Suppression of electron spin relaxation in Mn-doped GaAs},
author = {G. V. Astakhov and R. I. Dzhioev and K. V. Kavokin and V. L. Korenev and M. V. Lazarev and M. N. Tkachuk and Yu. G. Kusrayev and T. Kiessling and W. Ossau and L. W. Molenkamp},
journal= {arXiv preprint arXiv:0710.0246},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures