p 型 GaAs:Mn 中杂质密度与电子自旋弛豫时间的计算
材料科学
2020-03-23 v2
摘要
磁性半导体因其与自旋电子器件相关的多种功能而引发关注。锰（Mn）作为 A3B5 半导体中的替代式杂质，不仅提供空穴，也提供局域自旋。具有未补偿磁矩的 Mn 原子的抛出导致铁磁性质的出现。表征为长时自旋动力学的最合适材料是 n 型 GaAs。在 p 型 GaAs 中，电子的自旋弛豫时间通常短得多。出于本研究目的，我们考察了三维与二维 p 型 GaAs 中的电子自旋弛豫时间。杂质密度与磁性受主电荷态的计算揭示了材料的基本组成。电子光学自旋取向中理论与实验数据的比较显示，二维 GaAs:Mn 中最长自旋弛豫时间为 77 ns，不到 p 型三维 GaAs 材料最佳时间的两倍。
引用
@article{arxiv.1804.05581,
title = {Calculation of impurity density and electron-spin relaxation times in p-type GaAs:Mn},
author = {Veronika Burobina},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.05581},
year = {2020}
}
备注
13 pages, 1 table, 1 figure