GaAs中替代掺杂3d杂质的磁性
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
我们通过第一性原理电子结构计算，研究了GaAs基体中替代掺杂3d杂质（Cr-Ni）的磁性。我们提出了一个新模型来解释III-V稀磁半导体的铁磁长程有序。结果表明，铁磁性的起源是离化的自旋未补偿As悬挂键电子。除了对磁矩的定量预测外，我们的模型还为半金属性以及临界温度随杂质浓度升高提供了理解。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0110405,
title = {Magnetic properties of 3d-impurities substituted in GaAs},
author = {S. Mirbt and B. Sanyal and P. Mohn},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0110405},
year = {2009}
}