GaMnAs/GaAs 铁磁多层结构中的电荷与自旋分布
其他凝聚态物理
2009-11-10 v1 材料科学
摘要
我们对 GaMnAs/GaAs 多层结构进行基于 Luttinger-Kohn 模型的自洽电子结构计算. 假设稀释磁半导体层为金属且铁磁. 高 Mn 浓度(本计算中取 5%)使得可以将磁矩密度视为连续分布, 从而在处理孔与局部 Mn(++) 位点上磁性相互作用时更为便利. 我们的计算显示重空穴和轻空穴在结构中的分布. 观察到强自旋偏极化, 且电荷主要集中在 GaMnAs 层上, 由于重空穴和轻空穴的总角动量与平均磁化方向反平行. 电荷与自旋分布根据多层数量、GaMnAs 与 GaAs 层的宽度以及结构边界处横向 GaAs 层的宽度进行分析.
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0407331,
title = {Charge and spin distributions in GaMnAs/GaAs Ferromagnetic Multilayers},
author = {S. C. P. Rodrigues and L. M. R. Scolfaro and J. R. Leite and I. C. da Cunha Lima and G. M. Sipahi and M. A. Boselli},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0407331},
year = {2009}
}
备注
12 pages,7 figures