具有双肖特基势垒的金属 - 半导体异质结中的电荷与自旋输运
材料科学
2023-07-19 v1
摘要
结合现有的实验结果，我们对铁磁体 - 半导体结的电子性质和电流 - 电压特性进行了建模。将 Fe/GaAs 界面视为具有肖特基势垒的 Fe/(i-GaAs)/n+-GaAs/n-GaAs 多层结构。我们还数值计算了双肖特基势垒结构 Fe/GaAs/Fe 的电流 - 电压特性，其结果与现有实验数据一致。对于该结构，我们估算了 GaAs 层中的自旋电流，该电流表征了从铁磁体到半导体的自旋注入。
引用
@article{arxiv.1412.4932,
title = {Charge and spin transport in a metal-semiconductor heterostructure with double Schottky barriers},
author = {S. Wolski and C. Jasiukiewicz and V. K. Dugaev and J. Barnas and T. Slobodskyy and W. Hansen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.4932},
year = {2023}
}
备注
3 pages, 5 figures, presented on The European Conference Physics of Magnetism 2014 (PM'14), June 23-27, 2014 Pozna\'n, POLAND