磁性 Schottky 势垒中的自旋积累与衰减
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1 材料科学
摘要
正向偏置 Schottky 势垒中电荷与自旋输运的理论揭示了具有实验意义的相关特征。发现电导失配会增强半导体中由电流引起的自旋不平衡。通过分析 Stephens 等人的磁场依赖 Kerr 旋转实验，得出了 GaAs|MnAs 界面电阻，并将其与本征界面的第一性原理计算进行了比较。随着电流偏压的增加，界面透明度向理论值增长，反映了 Schottky 势垒屏蔽效率的不断提高。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0501726,
title = {Spin accumulation and decay in magnetic Schottky barriers},
author = {Gerrit E. W. Bauer and Yaroslav Tserkovnyak and Arne Brataas and Jun Ren and Ke Xia and Maciej Zwierzycki and Paul J. Kelly},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0501726},
year = {2009}
}