界面结构对Fe/GaAs磁隧道结电子性质和Schottky势垒的影响
其他凝聚态物理
2009-11-11 v1 材料科学
摘要
使用第一性原理密度泛函计算研究了Fe/GaAs(001)磁隧道结的电子和磁性质。考虑了突变和混合界面，并研究了电荷转移、磁化分布、Schottky势垒高度和态密度自旋极化对界面结构的依赖性。对于As终止，与Fe的突变界面是有利的，而Ga终止的GaAs有利于与Fe形成混合层。Schottky势垒高度对界面的突变性特别敏感。半导体带隙中出现了显著的态密度，来源于金属界面态。这些自旋相关的界面态导致费米能级处态密度具有显著的少数自旋极化，并且这种极化持续深入半导体，为少数自旋通过Schottky势垒隧穿提供了通道。这些界面诱导的带隙态及其对界面原子结构的依赖性，结合潜在的自旋注入应用进行了讨论。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0603564,
title = {Influence of interface structure on electronic properties and Schottky barriers in Fe/GaAs magnetic junctions},
author = {D. O. Demchenko and Amy Y. Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0603564},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 9 figures, to appear in PRB