Fe/GaAs(110)界面性质的第一性原理研究
材料科学
2009-09-01 v2
摘要
我们利用密度泛函理论研究了Fe在GaAs(110)上的初始生长。与通常使用的(001)表面不同，(110)表面不发生重构。因此，可以预期形成平坦的界面和较小的扩散，这使得Fe/GaAs(110)成为自旋电子学应用的可能候选材料。由于实验上界面的实际质量似乎取决于生长条件（例如，通量率），我们通过半导体表面不同的Fe覆盖度来模拟不同通量率的影响。低覆盖度系统具有高扩散性。随着Fe量的增加（即更高的通量率），平坦界面变得更加稳定。磁结构强烈依赖于Fe覆盖度，但在我们的计算中未观察到磁矩的猝灭。
引用
@article{arxiv.0908.1282,
title = {Ab initio study of the interface properties of Fe/GaAs(110)},
author = {A. Grünebohm and H. C. Herper and P. Entel},
journal= {arXiv preprint arXiv:0908.1282},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 8 figures