Fe/GaAs界面结构的 nucleation、生长与第一性原理研究
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
我们采用密度泛函理论描述 Fe 薄膜在 GaAs(001) 表面生长初始阶段的过程，重点考察化学与磁性在界面之间的相互作用。四个特征似乎是普遍存在的：（1）在亚单层覆盖下，Fe 与基片原子之间发生强烈的化学相互作用，导致取代性吸附和混合；（2）对于几层甚至更多薄膜，原子尖锐的界面能量更优势；（3）对于一定范围内的 Fe 薄膜厚度，Ga-和As-吸附层显著降低薄膜的形成能，表明其类似掺和剂作用；（4）在生长前几层中，Ga或As原子可能从界面中被释放并扩散到 Fe 薄膜表面。磁性在这些过程中发挥重要的辅助作用，即使在稀薄的原子吸附极限下也如此。大多数薄膜在半单层覆盖下表现出铁磁有序，而某些被吸附层覆盖的薄膜则略偏向反铁磁有序。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0203559,
title = {First-principles study of nucleation, growth, and interface structure of Fe/GaAs},
author = {Steven C. Erwin and Sung-Hoon Lee and Matthias Scheffler},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0203559},
year = {2009}
}
备注
11 two-column pages, 12 figures, to appear in Phys. Rev. B