Fe 掺杂在 GaAs (100) 表面的第一性原理计算
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
我们从第一性原理计算了 0.5 单层至 5 单层厚的 Fe 层在 GaAs (100) 表面上的电子结构。我们发现 Fe 磁矩由 Fe-As 距离决定。As 掺杂至 Fe 薄膜顶部，而 Ga 最可能位于 Fe 薄膜内部。此外，我们发现单位胞在平面内不对称收缩，同时垂直于表面方向膨胀。我们预测在 -掺杂 GaAs 上，Fe 3d 空位数随 Fe 厚度增加而增大。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0301563,
title = {First Principles Calculations of Fe on GaAs (100)},
author = {S. Mirbt and B. Sanyal and C. Isheden and B. Johansson},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0301563},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 14 figures, submitted to PRB