Si 与 Ge (111) 表面扩散与生长的原子尺度问题
mtrl-th
2016-09-07 v1 材料科学
摘要
界面的稳定性以及半导体上薄膜生长的机制是电子器件中的核心问题。这些问题只有通过详细研究相关的微观过程才能被理解。实验研究能够为模型体系提供详细的原子尺度信息。对实验结果的理論分析对于解释某些令人惊讶的观察结果以及为优化生长条件与方法提供指导至关重要。我们回顾了近期关于吸附原子扩散、吸附物单层结构及其对 Si 和 Ge (111) 表面生长启示的理論工作。该理論分析由对稳定、亚稳与鞍点构型的总能量与熵因子的第一性原理计算组成。这些计算辅以简单模型的蒙特卡洛模拟，从而与实验观测建立直接联系。
引用
@article{arxiv.mtrl-th/9503005,
title = {Atomistic Aspects of Diffusion and Growth on the Si and Ge (111) Surfaces},
author = {Efthimios Kaxiras},
journal= {arXiv preprint arXiv:mtrl-th/9503005},
year = {2016}
}
备注
30 pages, 11 figures (sent upon request, non-standard format)