蒸气沉积法获得的 Al(Si)/Si(111) 相界面处扩散过程的原子尺度建模
材料科学
2025-05-13 v1
摘要
分子动力学和平行副本动力学模拟被应用于研究通过模拟 Al(Si) 合金在 Si(111) 基底上蒸气沉积所构建的 Al{111}∥Si{111} 相界面的原子结构和扩散过程。不同的预沉积 Si(111) 表面重构获得了不同的取向关系和界面结构。计算了界面处 Al 和 Si 原子的扩散，并与 Al-Si 系统中沿晶界、三重结点、接触线和穿位错扩散进行了比较。结果发现 Al{111}∥Si{111} 相界面在这些结构中表现出最低的扩散率，最接近晶格扩散率。在大多数情况下（除 Si 基底外），Si 原子比 Al 原子更易迁移。扩散过程通常由 Al 空位和 Si 间隙原子通过直接或间接间隙机制迁移所介导。
引用
@article{arxiv.2411.01672,
title = {Atomistic modeling of diffusion processes at Al(Si)/Si(111) interphase boundaries obtained by vapor deposition},
author = {Yang Li and Raj K. Koju and Yuri Mishin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.01672},
year = {2025}
}