Al(110)/Si(001) interphase边界原子模型与蒸发沉积
材料科学
2024-12-31 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报告了在模拟Al(Si)合金蒸发沉积至Si(001)基底后，对Al(110)/Si(001) interphase边界原子结构和扩散过程的分子动力学模拟。 observed 在界面上出现由full与partial类型 misfit位错组成的平行排列。Si原子聚集到misfit位错上，full位错的聚集作用更强。界面扩散主要由沿misfit位错的短路扩散控制，导致显著的扩散各向异性。full misfit位错上Al和Si原子的扩散速度快于partial misfit位错。由于misfit位错的存在，本文研究的Al(110)/Si(001)界面上的扩散速度快于我们先前研究的Al(111)/Si(111)界面上的扩散。
引用
@article{arxiv.2412.20994,
title = {Atomistic modeling of the structure and diffusion processes at Al(110)/Si(001) interphase boundaries obtained by vapor deposition},
author = {Yang Li and Yuri Mishin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.20994},
year = {2024}
}