GaAs(001)表面上的新型扩散机制：吸附原子-二聚体相互作用的作用
材料科学
2009-10-30 v1
摘要
我们采用第一性原理总能量计算研究了Ga和Al吸附原子在GaAs(001)-beta2表面上的行为。确定了吸附位点和两个相关的扩散通道。这些通道的特征在于吸附原子与表面二聚体之间的相互作用不同。两者都以一种新颖的方式影响吸附原子的迁移：在一个通道中，扩散的吸附原子跨越表面二聚体跳跃，并保持二聚体键完整；在另一个通道中，表面二聚体键被破坏。考虑这两个通道以推导有效的吸附原子扩散势垒。根据扩散势垒，我们得出结论：对于Al和Ga吸附原子，均存在强烈的扩散各向异性，最快扩散方向平行于表面二聚体。与实验观察一致，我们发现Al的扩散势垒高于Ga。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9710180,
title = {Novel diffusion mechanism on the GaAs(001) surface: the role of adatom-dimer interaction},
author = {Alexander Kley and Paolo Ruggerone and Matthias Scheffler},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9710180},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 2 figures, Phys. Rev. Lett. 79 (1997). Other related publications can be found at http://www.rz-berlin.mpg.de/th/paper.html