再探Si(001)单氢化物表面的自扩散：吸附原子团簇的作用
计算物理
2007-05-23 v1
摘要
对H/Si(001)-2x1表面的第一性原理总能量计算揭示了Si吸附原子的双重扩散过程：沿二聚体行方向为单个扩散，而跨行则成对扩散。沿二聚体行方向的计算扩散势垒为1.1 eV，但这太小，无法解释实验中观察到的氢诱导的生长中断。相反，我们发现，在H存在的情况下，吸附原子扩散会导致难以分解的不可移动的四元环Si四聚体的形成。这可能解释了H对Si同质外延的不利影响。
引用
@article{arxiv.physics/0612047,
title = {Self-diffusion on Si(001) mono-hydride surfaces revisited: The role of adatom clustering},
author = {Gefei Qian and Xuan Luo and S. B. Zhang and Yia-Chung Chang and Dehuan Huang and Shang-Fen Ren},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0612047},
year = {2007}
}
备注
4 pages 4 figures