硅(001)表面各向异性合金化的第一性原理研究
材料科学
2023-02-17 v2
摘要
采用密度泛函理论计算，我们探究了共沉积银和铟原子进入硅表面的竞争合金化初始阶段。特别地，我们确定了在二聚体重构硅表面上控制其扩散的相应吸附位置和活化势垒。进一步，我们建立了一个生长模型，该模型适当描述了考虑硅二聚化及C型缺陷存在的扩散机制和硅形貌。基于表面动力学蒙特卡洛模拟，我们考察了双金属吸附的动力学并详述了温度对Ag-In合金亚单层生长的影响。对吸附原子迁移的仔细检视清楚表明Ag和In原子的有效成核，随后形成正交原子链。我们展示了外延双金属生长可能通过正交取向的单金属行潜在地导致吸附原子以各向异性二维晶格形式的奇异有序化。我们认为该情形在高于室温时变得有利，且我们的数值结果与实验发现一致。
引用
@article{arxiv.2209.10463,
title = {An ab initio approach to anisotropic alloying into the Si(001) surface},
author = {D. V. Prodan and G. V. Paradezhenko and D. Yudin and A. A. Pervishko},
journal= {arXiv preprint arXiv:2209.10463},
year = {2023}
}
备注
8 pages, 5 figures