Epitaxial 氧化物在硅上的生长与界面性质的 ab initio 模拟
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
以 SiO2 替代称为 high-k 氧化物，是当前半导体行业面临的重大挑战之一。基于电子结构计算和 ab initio 分子动力学模拟，我们能够为一类以 SrO 和 SrTiO3 为代表的 epitaxial 氧化物生长过程提供一致的图景。对界面结合原理的详细理解也使我们能够提出一种工程化硅亚基与氧化物之间带偏移的办法。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0504256,
title = {Ab-initio simulations on growth and interface properties of epitaxial oxides on silicon},
author = {Clemens J. Foerst and Christopher R. Ashman and Karlheinz Schwarz and Peter E. Bloechl},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0504256},
year = {2007}
}
备注
6 pages, 6 figures, proceeding for the INFOS2005 conference (http://www.imec.be/infos/)