氧化物二维电子气作为(001) Si上实现高载流子密度的途径
强关联电子
2015-06-11 v1 材料科学
摘要
氧化物异质结构界面形成的二维电子气(2DEGs)因其独特的物理特性和潜在应用引起广泛关注。在传统半导体上生长此类异质结构有潜力将其功能与半导体器件技术集成。我们通过在硅上生长 展示了传统半导体上的二维电子气(2DEGs)。结构分析证实了具有突变界面和高结晶度的异质结构的外延生长。输运测量显示导电是界面效应，每个界面约 个电子。在 Si 上和氧化物衬底上生长的结构的电子行为之间表现出良好一致性，验证了这种方法在实验室规模样品与可扩展的、技术相关材料系统之间架桥的鲁棒性。
引用
@article{arxiv.1505.02738,
title = {Oxide 2D electron gases as a route for high carrier densities on (001) Si},
author = {Lior Kornblum and Eric N. Jin and Divine P. Kumah and Alexis T. Ernst and Christine C. Broadbridge and Charles H. Ahn and Fred J. Walker},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.02738},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 4 figures