通过非晶SrTiO3选择性外延生长亚微米复杂氧化物结构
超导电性
2007-05-23 v1
摘要
开发了一种基于选择性外延生长的无化学试剂制备亚微米复杂氧化物结构的技术。复杂氧化物的结晶度及其导电性受到非晶SrTiO3（STO）的抑制。结合脉冲激光沉积和电子束光刻，首先在单晶衬底上沉积非晶STO阻挡层。然后在图案化衬底上沉积薄膜，非晶STO阻挡层用于电学和物理隔离薄膜的不同区域。由于没有化学或物理蚀刻剂接触沉积的薄膜，其完整性和稳定性得以保持。该技术已成功制备出亚微米YBCO和LCMO结构。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0506001,
title = {Selective epitaxial growth of sub-micron complex oxide structures by amorphous SrTiO3},
author = {P. Morales and M. DiCiano and J. Y. T. Wei},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0506001},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 3 figures. Published Applied Physics Letters