高导电氧化物SrMoO$_3$的分子束外延生长
材料科学
2020-12-07 v1 强关联电子
摘要
SrMoO因其优异的导电性而是一种有前景的材料，但生长高质量薄膜仍具挑战。在此，我们利用分子束外延（MBE）技术，在低氧流率下合成了SrMoO外延薄膜。在薄膜与（001）取向的SrTiO或KTaO衬底之间引入4–8个晶胞的SrTiO缓冲层，对于消除薄膜表面的杂质和/或粗糙度至关重要。所获得的薄膜与其他技术获得的薄膜相比表现出改善的导电性。SrMoO薄膜的高品质也通过角分辨光电子能谱（ARPES）测量得到验证，其显示出清晰的费米面。
引用
@article{arxiv.2012.02425,
title = {Molecular beam epitaxy growth of the highly conductive oxide SrMoO$_3$},
author = {Hiroshi Takatsu and Naoya Yamashina and Daisuke Shiga and Ryu Yukawa and Koji Horiba and Hiroshi Kumigashira and Takahito Terashima and Hiroshi Kageyama},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.02425},
year = {2020}
}
备注
6 pages, 5 figures