利用分子束外延制备BaZrS3硫族钙钛矿薄膜
材料科学
2021-05-24 v1
摘要
我们展示了利用分子束外延(MBE)制备BaZrS3薄膜。BaZrS3呈正交畸变钙钛矿结构，由共顶连接的ZrS6八面体构成。一步MBE工艺所得薄膜在原子尺度上平滑，具有近乎完美的BaZrS3化学计量比，并与LaAlO3衬底形成原子级锐利界面。薄膜通过两种竞争生长模式外延生长：缓冲外延，具有缓解外延应变的自组装界面层；以及直接外延，采用旋转立方-on-立方生长以适应氧化物与硫化物钙钛矿之间的大晶格常数失配。该工作为开发硫族钙钛矿作为一类半导体合金奠定了基础，这类合金可在高质量外延薄膜中通过应变和组分调控性质，正如Si-Ge、III-V族和II-V族等其他体系早已确立的那样。本文所展示的方法也代表了气源硫族化物MBE的复兴。
引用
@article{arxiv.2105.10258,
title = {Making BaZrS3 chalcogenide perovskite thin films by molecular beam epitaxy},
author = {Ida Sadeghi and Kevin Ye and Michael Xu and James M. LeBeau and R. Jaramillo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.10258},
year = {2021}
}