BaTiS$_3$ 薄膜的准外延生长
材料科学
2022-10-27 v1
摘要
钙钛矿硫属化物已成为一类在可见-红外区域具有可调带隙的新型半导体。高质量薄膜对于理解基本性质并实现基于这些材料的潜在应用至关重要。我们报道了利用脉冲激光沉积生长准一维（quasi-1D）六方硫属化物 BaTiS 的准外延薄膜。我们通过改变衬底温度和 H2S 分压等生长参数确定了最优生长条件，并考察了它们对薄膜结构的影响。高分辨率薄膜 X 射线衍射显示沿面外方向具有强织构，而未观察到薄膜与衬底间面内取向关系。掠入射广角 X 射线散射与扫描透射电子显微镜研究揭示了尽管界面存在缺陷，薄膜与衬底间仍存在弱外延关系。我们的研究为实现准一维六方硫属化物薄膜及其与钙钛矿硫属化物的异质结构开辟了途径。
引用
@article{arxiv.2208.08958,
title = {Quasi-epitaxial growth of BaTiS$_3$ films},
author = {M. Surendran and B. Zhao and G. Ren and S. Singh and A. Avishai and H. Chen and J. Han and M. Kawasaki and R. Mishra and J. Ravichandran},
journal= {arXiv preprint arXiv:2208.08958},
year = {2022}
}
备注
25 pages, 6 figures