用于光电子学的硫族钙钛矿 BaZrS3 薄膜的制备
材料科学
2019-12-23 v2 其他凝聚态物理
摘要
BaZrS3 是一种典型的硫族钙钛矿，属于一类新兴的非传统半导体。近期对粉末样品的研究表明，该材料具有 1.7-1.8 eV 的直接带隙、极强的光-物质相互作用以及高化学稳定性。然而，许多基本性质尚不清楚，阻碍了将 BaZrS3 应用于光电子学。在此，我们报道了通过脉冲激光沉积氧化物薄膜后硫化制备 BaZrS3 薄膜的方法。我们表明这些薄膜为 n 型，载流子密度在 10^19-10^20 cm^-3 范围内。根据工艺温度不同，霍尔迁移率在 2.1 至 13.7 cm^2/Vs 之间。在光子能量大于 1.97 eV 时，吸收系数大于 10^5 cm^-1。温度依赖的电导率测量表明存在浅施主能级。这些结果证实 BaZrS3 是光电子学（如光电探测器、光伏和发光二极管）中有前景的候选材料。
引用
@article{arxiv.1910.04978,
title = {Fabrication of BaZrS3 chalcogenide perovskite thin films for optoelectronics},
author = {Xiucheng Wei and Haolei Hui and Chuan Zhao and Chenhua Deng and Mengjiao Han and Zhonghai Yu and Aaron Sheng and Pinku Roy and Aiping Chen and Junhao Lin and David F. Watson and Yiyang Sun and Tim Thomay and Sen Yang and Quanxi Jia and Shengbai Zhang and Hao Zeng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.04978},
year = {2019}
}