硫族钙钛矿——一类新兴的离子型半导体
材料科学
2016-10-18 v1
摘要
我们报道了一类新型离子半导体材料——无机硫族钙钛矿的合成与表征。通过对其氧化物前驱体进行高温硫化，合成了包括 BaZrS₃、CaZrS₃、SrTiS₃ 和 SrZrS₃ 在内的几种不同化合物。利用 XRD 鉴定了其晶体结构，并通过 EDX 确定了其组成。紫外-可见光谱和光致发光测量证实，它们均为直接带隙半导体，且带隙值与理论预测一致。通过采用阴离子合金化方法，我们展示了从 1.73 eV 到 2.87 eV 的宽范围可调带隙。这些强离子性半导体为调控半导体特性开辟了新途径，可应用于能量收集、固态照明和传感等领域。
引用
@article{arxiv.1610.04882,
title = {Chalcogenide Perovskites- an Emerging Class of Ionic Semiconductors},
author = {Samanthe Pereraa and Haolei Huia and Chuan Zhao and Hongtao Xue and Fan Sun and Chenhua Deng and Nelson Gross and Chris Milleville and Xiaohong Xu and David F. Watson and Bernard Weinstein and Yi-Yang Sun and Shengbai Zhang and Hao Zeng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.04882},
year = {2016}
}