用于高性能 BaZrS3 单晶光电器件的电接触
材料科学
2025-06-04 v2
摘要
硫族钙钛矿如 BaZrS3 是下一代光电器件（如光电探测器和太阳能电池）的有力候选材料。与广泛研究的多晶薄膜相比，具有最少扩展缺陷和点缺陷的 BaZrS3 单晶是研究材料本征输运性质及制造第一代光电器件的理想平台。然而，由于硫化或氧化在 BaZrS3 单晶表面形成的介电层，给实现高质量电接触并进而实现高性能光电器件带来了重大挑战。在此，我们报告了 BaZrS3 单晶上电接触制造工艺的开发，其中采用了多种工艺来解决表面介电层问题。此外，通过干法刻蚀制备的优化电接触，我们展示了高性能 BaZrS3 光电导器件，其在 10 V 偏压下具有 0.1 nA 的低暗电流，以及上升和衰减时间均小于 0.2 秒的快速瞬态光响应。
引用
@article{arxiv.2409.00595,
title = {Electrical contacts for high performance optoelectronic devices of BaZrS3 single crystals},
author = {Huandong Chen and Shantanu Singh and Mythili Surendran and Boyang Zhao and Yan-Ting Wang and Jayakanth Ravichandran},
journal= {arXiv preprint arXiv:2409.00595},
year = {2025}
}