硫族钙钛矿的外延薄膜
材料科学
2021-11-05 v1
摘要
硫族钙钛矿已成为一类新型电子材料，但硫族钙钛矿的基本特性与应用仍受限于缺乏高质量外延薄膜。我们报道了利用脉冲激光沉积生长典型硫族钙钛矿 BaZrS3 的外延薄膜。X 射线衍射研究表明，薄膜具有强烈的面外织构，并与衬底存在清晰的面内外延关系。电子显微镜研究证实了薄膜在界面处最初几层的外延生长，尽管远离界面处薄膜为多晶且含有大量扩展缺陷，表明生长工艺仍有进一步改进的空间。X 射线反射与原子力显微镜显示薄膜表面及衬底与薄膜之间的界面光滑。薄膜在带边附近表现出强光吸收，并在可见光区呈现光致发光。光电探测器器件表现出快速而高效的光响应，其开关比达到迄今为止 BaZrS3 薄膜报道的最高值。我们的研究为实现硫族钙钛矿的外延薄膜、异质结构与超晶格以探究基本物理现象及由此衍生的电子与光子器件技术开辟了机遇。
引用
@article{arxiv.2105.11090,
title = {Epitaxial Thin Films of a Chalcogenide Perovskite},
author = {Mythili Surendran and Huandong Chen and Boyang Zhao and Arashdeep Singh Thind and Shantanu Singh and Thomas Orvis and Huan Zhao and Jae-Kyung Han and Han Htoon and Megumi Kawasaki and Rohan Mishra and Jayakanth Ravichandran},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.11090},
year = {2021}
}