由气源分子束外延实现的一种新型半导体钙钛矿合金体系
材料科学
2023-01-02 v2
摘要
光电子学技术基于若干半导体合金族。一种新的半导体合金族发展到可实现外延生长的情况十分罕见;自 1950 年代以来,这大约每十年发生一次。本文中,我们展示了通过气源分子束外延(MBE)在 Ba-Zr-S-Se 体系中半导体硫族钙钛矿合金的外延薄膜生长。通过在 BaZrS 外延模板上生长,我们在钙钛矿结构中稳定了 BaZrSSe 的完整成分范围 y = 0 ... 3,直至并包括 BaZrSe。所得薄膜环境稳定,且直接带隙()随 Se 含量强烈变化,如理论所预测,覆盖 = 1.9 ... 1.4 eV(y = 0 ... 3)。这为使用硫族钙钛矿的可见光与近红外(VIS-NIR)光电子学、固态照明及太阳能电池创造了可能。
引用
@article{arxiv.2211.10787,
title = {A new semiconducting perovskite alloy system made possible by gas-source molecular beam epitaxy},
author = {Ida Sadeghi and Jack Van Sambeek and Tigran Simonian and Michael Xu and Kevin Ye and Valeria Nicolosi and James M. LeBeau and R. Jaramillo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2211.10787},
year = {2023}
}