半赫斯勒 FeVSb 外延膜的半吸附控制生长窗口
材料科学
2020-09-29 v2
摘要
赫斯勒化合物（组成为 或 ）的电子、磁、热电与拓扑性质对化学计量比和缺陷高度敏感。此处我们确立半导体性半赫斯勒 FeVSb 膜存在一\textit{半}吸附控制生长窗口，并通过分子束外延（MBE）实验标定其边界。我们表明，由于 Sb 的高挥发性，在有限生长温度与 Sb 通量范围内 Sb 化学计量比自限制，类似于 III-V 族半导体（如 GaSb 与 GaAs）的生长。在此窗口内生长的膜通过 X 射线衍射（XRD）与反射高能电子衍射（RHEED）在结构上几乎无法区分。最高电子迁移率与最低背景载流子密度在窗口富 Sb 边界处取得，表明 Sb 空位可能为常见缺陷。类似的\textit{半}吸附控制边界预期也存在于其他含挥发性组元 Sb, As, Bi 的三元金属间化合物，例如 CoTiSb、LuPtSb、GdPtBi 与 NiMnSb。然而，控制剩余的 Fe/V（）过渡金属化学计量比仍是突出挑战。
引用
@article{arxiv.2003.05971,
title = {Semi-adsorption-controlled growth window for half Heusler FeVSb epitaxial films},
author = {Estiaque H. Shourov and Ryan Jacobs and Wyatt A. Behn and Zachary J. Krebs and Chenyu Zhang and Patrick J. Strohbeen and Dongxue Du and Paul M. Voyles and Victor W. Brar and Dane D. Morgan and Jason K. Kawasaki},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.05971},
year = {2020}
}