利用分子束外延实现吸附控制生长的镧掺杂 BaSnO3
材料科学
2017-11-03 v1
摘要
通过分子束外延在吸附控制 regime 下生长了外延镧掺杂 BaSnO3 薄膜，其中过量的挥发性 SnOx 从薄膜表面脱附。在 (001) DyScO3 衬底上生长的薄膜在室温下迁移率为 183 cm^2 V^-1 s^-1，在 10 K 下为 400 cm^2 V^-1 s^-1，尽管存在高浓度（1.2x10^11 cm^-2）的穿线位错。与其他报道相比，我们观察到低得多的 (BaO)2 Ruddlesden Popper 晶格剪切断层浓度。这表明，除穿线位错外，其他缺陷（可能为 (BaO)2 晶格剪切缺陷或点缺陷）也会显著降低电子迁移率。
引用
@article{arxiv.1711.00496,
title = {Adsorption-controlled growth of La-doped BaSnO3 by molecular-beam epitaxy},
author = {Hanjong Paik and Zhen Chen and Edward Lochocki and Ariel H. Seidner and Amit Verma and Nicholas Tanen and Jisung Park and Masaki Uchida and ShunLi Shang and Bi-Cheng Zhou and Mario Brützam and Reinhard Uecker and Zi-Kui Liu and Debdeep Jena and Kyle M. Shen and David A. Muller and Darrell G. Schlom},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.00496},
year = {2017}
}