真空退火中氧空位驱动的镧掺杂 BaSnO3 外延膜迁移率增强
材料科学
2020-05-22 v1
摘要
宽禁带（约 3.1 eV）镧掺杂 BaSnO3（LBSO）自其块体单晶显示出高载流子迁移率（约 320 cm2 V-1 s-1）与高载流子浓度（约 10^20 cm-3）以来，作为一种透明氧化物半导体受到越来越多的关注。因此，许多研究者迄今已制备了 LBSO 外延膜，但由于晶格/结构缺陷的形成，可获得的载流子迁移率远低于单晶。本文我们报道，LBSO 膜中的迁移率抑制可通过简单的真空退火工艺消除。在 MgO 衬底上的 LBSO 膜经真空退火后，由于氧空位的形成增加了载流子浓度，并导致同时的横向晶粒生长。结果，载流子迁移率通过真空退火得到大幅改善，而空气中热处理后则不会发生。这些结果拓展了我们对 LBSO 外延膜中点缺陷形成的现有认识，并表明真空退火是提升 LBSO 膜迁移率数值的有力工具。
引用
@article{arxiv.1808.10570,
title = {Oxygen vacancy driven mobility enhancement in epitaxial La-doped BaSnO3 from vacuum annealing},
author = {Hai Jun Cho and Takaki Onozato and Mian Wei and Anup V. Sanchela and Hiromichi Ohta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.10570},
year = {2020}
}