简并钙钛矿锡酸盐BaSnO$_3$中的电子有效质量与迁移率极限
材料科学
2017-04-19 v2
摘要
通过评估在自由电子浓度为至~cm的外延薄膜红外光谱中观测到的自由载流子吸收，深入研究了BaSnO的高室温迁移率和电子有效质量。仅基于BaSnO本征物理性质的参数，一致地描述了导带填充引起的光学带隙展宽以及低掺杂和高掺杂区域的载流子散射机制。这些结果解释了当前外延薄膜中的迁移率极限，并证明了BaSnO在中等掺杂区域也具有超越现有宽禁带半导体的潜力。
引用
@article{arxiv.1609.05508,
title = {Electron effective mass and mobility limits in degenerate perovskite stannate BaSnO$_3$},
author = {Christian A. Niedermeier and Sneha Rhode and Keisuke Ide and Hidenori Hiramatsu and Hideo Hosono and Toshio Kamiya and Michelle A. Moram},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.05508},
year = {2017}
}
备注
26 pages, 9 figures