非化学计量比a-IGZO薄膜中的电子有效质量与电子结构
材料科学
2022-01-21 v2 无序系统与神经网络
摘要
研究了具有镓和锌缺陷的非化学计量比非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）薄膜的输运性质以及光学透射和吸收光谱。电阻率和载流子浓度随温度的变化均表明该薄膜具有简并半导体（或金属）特性。热电势为负且随温度降低线性减小，表明电子扩散热电势主导了各薄膜中的热输运过程。利用类自由电子模型，我们提取了电子有效质量，其约为化学计量比薄膜的三倍，并随载流子（电子）浓度增加而增大。忽略价带顶附近能量随波矢的变化并利用类自由电子模型，我们也通过光学吸收光谱测量获得了电子有效质量。通过光学光谱测量获得的有效质量大小与通过热电势测量获得的各薄膜结果相当。我们的结果强烈表明非化学计量比a-IGZO薄膜具有类自由电子的赝能带结构。
引用
@article{arxiv.1811.08766,
title = {Electron effective mass and electronic structure in nonstoichiometric a-IGZO films},
author = {Xin Zhu and Yang Yang and Xin-Dian Liu and Zhi-Qing Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.08766},
year = {2022}
}
备注
5 pages, 5 figures