薄GexTe膜中的非平衡输运与电子玻璃效应
无序系统与神经网络
2017-02-17 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了在低温下对锗碲化物（Ge_xTe）薄膜进行的非平衡输运测量结果。由于相当大程度偏离化学计量比（约10%的Ge空位），这些薄膜表现出p型导电性，载流子浓度N>10^20cm^(-3)，并且通过明智选择制备和后处理条件可处于扩散或强局域化状态。在两种状态下，系统均在短暂暴露于红外辐射激发后显示出持续光电导。在掺Mn的GexTe样品中也观察到持续光电导。然而，在Ge_xTe和GeMn_xTe_y中，该效应均远弱于在GeSb_xTe_y合金中可观察到的效应，表明锑在该现象中起重要作用。这些薄膜的结构研究揭示了不寻常的织构程度，这在高载流子浓度的强无序系统中很少实现。Ge_xTe的安德森局域化样品表现出非遍历输运，这是本征电子玻璃的特征，包括在激发态中产生的过剩电导的完好记忆凹陷和缓慢弛豫。这些结果支持如下猜想：具有固有长弛豫时间的电子玻璃效应是所有大载流子浓度安德森局域化系统的普适性质。
引用
@article{arxiv.1702.04876,
title = {Nonequilibrium transport and Electron-Glass effects in thin GexTe films},
author = {Z. Ovadyahu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.04876},
year = {2017}
}