强局域化氧化铊薄膜中的本征电子玻璃效应

本文展示并讨论了在氧化铊薄膜（n 型半导体）上进行的输运测量。本工作的重点在于电荷输运由变程跳跃主导的强局域化机制。研究表明，在液氦温度下，这些薄膜表现出本征电子玻璃的所有典型特征。这些特征包括缓慢的（随时间对数变化的）电导弛豫，该弛豫可由以下任一方案诱导：从高温淬火冷却、栅极电压突变、暴露于红外辐射以及用非欧姆场对系统施加应力。通过电子显微镜表征了薄膜的微观结构，并通过霍尔效应测量了其载流子浓度。场效应实验揭示了一个记忆凹陷，其宽度与系统的载流子浓度相容，这与先前研究的电子玻璃相比是一致的。观察表明，所有表现出电子玻璃效应的系统的共同要素是高载流子浓度，这表明即使在深入绝缘机制时，其局域化位点也可能是多占据的。轻掺杂半导体不显示本征电子玻璃效应这一事实与此经验观察一致。基于这些发现，讨论了记忆凹陷与库仑隙之间的联系。