关联氧化物薄膜中的巨拓扑霍尔效应
材料科学
2019-09-23 v1 介观与纳米尺度物理
应用物理
摘要
强电子关联可以产生诸如金属-绝缘体转变等显著现象，并极大地增强超导电性、热电性或光学非线性。在关联系统中，空间变化的电荷织构也会放大介观结构中的磁电效应或电阻效应。然而，在存在关联的情况下，空间变化的自旋织构如何影响电子输运仍不清楚。在此，我们展示了在轻电子掺杂的电荷转移绝缘体 (Ca, Ce)MnO₃ 薄膜中存在非常大的拓扑霍尔效应 (THE)。磁力显微镜揭示了磁泡的存在，其密度随磁场的变化在 THE 最大值附近达到峰值，这与斯格明子系统中预期的情况一致。THE 强烈依赖于载流子浓度，并在低掺杂、接近金属-绝缘体转变处发散。我们讨论了关联效应对 THE 的强烈放大作用，并展望了通过电场对其进行非易失性控制的前景。
引用
@article{arxiv.1909.09305,
title = {Giant topological Hall effect in correlated oxide thin films},
author = {Lorenzo Vistoli and Wenbo Wang and Anke Sander and Qiuxiang Zhu and Blai Casals and Rafael Cichelero and Agnès Barthélémy and Stéphane Fusil and Gervasi Herranz and Sergio Valencia and Radu Abrudan and Eugen Weschke and Kazuki Nakazawa and Hiroshi Kohno and Jacobo Santamaria and Weida Wu and Vincent Garcia and Manuel Bibes},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.09305},
year = {2019}
}
备注
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