高温生长缓冲层提升外延 La 掺杂 BaSnO$_3$/SrZrO$_3$ 异质结构中的电子迁移率
材料科学
2019-04-30 v2
摘要
通过在薄膜与衬底之间插入 SrZrO 缓冲层，我们展示了穿线位错密度的显著降低，以及 La:BaSnO 薄膜中电子迁移率的相应提升。对于 25 nm 厚薄膜，在未经任何生长后处理的情况下，实现了 140 cm V 的室温迁移率。通过脉冲激光沉积在 (110) TbScO 衬底上制备的缓冲薄膜，其穿线位错密度仅为 cm。
引用
@article{arxiv.1903.11645,
title = {High-temperature-grown buffer layer boosts electron mobility in epitaxial La-doped BaSnO$_3$/SrZrO$_3$ heterostructures},
author = {Arnaud P. Nono Tchiomo and Wolfgang Braun and Bryan P. Doyle and Wilfried Sigle and Peter van Aken and Jochen Mannhart and Prosper Ngabonziza},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.11645},
year = {2019}
}
备注
5 pages, 4 figures