透明氧化物半导体La掺杂BaSnO3中载流子迁移率的厚度强依赖性
材料科学
2018-06-12 v2
摘要
本文报道了在(001) SrTiO3和(001) MgO衬底上的2%-La掺杂BaSnO3（LBSO）薄膜的载流子迁移率强烈依赖于厚度，而与晶格失配（SrTiO3为+5.4%，MgO为-2.3%）无关。尽管我们观察到晶格参数、横向晶粒尺寸（SrTiO3约为85 nm，MgO约为20 nm）、表面形貌和失配位错密度存在较大差异，但在两种情况下迁移率均随厚度几乎同时增加并饱和于约100 cm2 V-1 s-1，同时趋近于名义载流子浓度（=[2% La3+]），这清楚地表明迁移率的行为取决于薄膜厚度。本研究结果将有助于理解迁移率的行为，并对进一步提升LBSO薄膜的迁移率有所裨益。
引用
@article{arxiv.1804.05344,
title = {Large thickness dependence of the carrier mobility in a transparent oxide semiconductor, La-doped BaSnO3},
author = {Anup V. Sanchela and Mian Wei and Haruki Zensyo and Bin Feng and Joonhyuk Lee and Gowoon Kim and Hyoungjeen Jeen and Yuichi Ikuhara and Hiromichi Ohta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.05344},
year = {2018}
}
备注
15 pages, including 4 figures