La 掺杂 BaSnO3 薄膜中的速度饱和
材料科学
2019-08-28 v2 应用物理
摘要
BaSnO_{3} 是一种高迁移率钙钛矿氧化物,是氧化物基电子器件的诱人材料。然而,除低场迁移率外,高场输运性质(如载流子的饱和速度)在决定器件性能方面也起主要作用。我们报道了在一系列掺杂密度下对 La 掺杂 BaSnO_{3} 薄膜中电子饱和速度的实验测量。基于简单 LO 声子发射模型、采用 120 meV 的有效 LO 声子能量所预测的饱和速度,与 La 掺杂 BaSnO_{3} 薄膜中速度饱和的测量结果吻合良好。对于载流子密度分别从 10^{13} cm^{-2} 到 2x10^{14} cm^{-2} 的 {\delta} 掺杂 BaSnO3 沟道,预测其随密度变化的饱和速度从 1.6x10^{7} cm/s 降至 2x10^{6} cm/s。这些结果有望有助于将 BaSnO3 作为高电荷密度电子晶体管有源材料的合理设计。
引用
@article{arxiv.1905.05112,
title = {Velocity Saturation in La-doped BaSnO3 Thin Films},
author = {Hareesh Chandrasekar and Junao Cheng and Tianshi Wang and Zhanbo Xia and Nicholas G. Combs and Christopher R. Freeze and Patrick B. Marshall and Joe McGlone and Aaron Arehart and Steven Ringel and Anderson Janotti and Susanne Stemmer and Wu Lu and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.05112},
year = {2019}
}
备注
23 pages, 10 figures, 2 tables