声子激射作为 GaN 晶体管中密度依赖速度饱和的可能机制
介观与纳米尺度物理
2016-08-24 v1
摘要
我们表明，GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 中的密度依赖速度饱和可与纵向光学 (LO) 声子的受激发射相关联。随着电子漂移速度增加，费米分布在倒易空间中的漂移产生 LO 声子的布居反转和增益。一旦该增益达到阈值，LO 发射的雪崩式增加导致电子能量和动量的快速损失，并引起漂移速度饱和。我们的简单模型正确预测了饱和速度随电子密度增加而减小的总体趋势，以及我们实验中测量的饱和速度值。
引用
@article{arxiv.1602.02417,
title = {Phonon lasing as a likely mechanism for density-dependent velocity saturation in GaN transistors},
author = {Jacob B. Khurgin and Sanyam Bajaj and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.02417},
year = {2016}
}