具有改善开关比的耗尽型 N 极性 AlN 基高电子迁移率晶体管
材料科学
2026-05-15 v1
摘要
我们报道了在蓝宝石上的 N 极性 AlN 上制备的 GaN 沟道厚度为 5.2 nm 的 N 极性 AlN 基高电子迁移率晶体管（HEMT）。其阈值电压约为 -2.4 至 -3.0 V，饱和电流超过 240 mA/mm，开关比高达 10,000，远高于先前报道的 N 极性 AlN 基 HEMT。高开关比归因于使用了具有专用 AlN 过渡层的突变 AlN/GaN 异质结构，以及改善的栅极泄漏。高频特性和约 20 Ohm mm 的导通电阻均受到沟道层 2000 Ohm/square 方块电阻的限制。
引用
@article{arxiv.2605.14329,
title = {Depletion-mode N-polar AlN-based high electron mobility transistors with improved on/off ratios},
author = {Xu Yang and Sheng Zhang and Ke Wei and Xinhua Wang and Xinyu Liu and Itsuki Furuhashi and Markus Pristovsek},
journal= {arXiv preprint arXiv:2605.14329},
year = {2026}
}