受高电子迁移率晶体管启发的 III-V 电光调制器拓扑的设计与分析
应用物理
2020-10-07 v2 光学
摘要
基于 III-V 异质结构的高电子迁移率晶体管（HEMT）由于在异质结构界面处二维电子气（2DEG）通道中的高迁移率，相较 CMOS 硅晶体管具有更优性能。氮化镓（GaN）基 HEMT 亦适用于高功率与高温应用。GaN 在非线性光学、压电微机电系统（MEMS）以及单片微波集成电路（MMICs）等领域拥有丰富的材料特性。本文中，我们提出受 HEMT 启发的 III-V 电光调制器拓扑，其有望超越硅光子调制器。我们分析了因 2DEG 与光相互作用产生的电吸收与电折射，并给出了一种选择性利用所需调制机制的设计框架。我们的分析表明，类 HEMT 结构中电折射调制的调制指数与硅光子调制器相当，尽管具有更高的电子迁移率从而高得多的调制速率。
引用
@article{arxiv.1907.07545,
title = {Design and analysis of high electron mobility transistor (HEMT) inspired III-V electro-optic modulator topologies},
author = {Pallabi Das and Tian-Li Wu and Siddharth Tallur},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.07545},
year = {2020}
}