增强 III-V 族半导体中的空穴迁移率
材料科学
2015-05-30 v1
摘要
基于 III-V 族半导体材料的晶体管因其高电子迁移率而被用于各种模拟和高频应用。然而，与硅和锗等 IV 族半导体相比，III-V 族材料中的空穴迁移率一直滞后。本文探索利用应变和异质结构设计，并通过能带结构建模来增强 III-V 族材料中的空穴迁移率。采用多种实验技术定量测量了对优化空穴输运至关重要的参数，如应变、价带偏移、有效质量以及轻空穴带和重空穴带之间的分裂。展示了空穴的峰值霍尔迁移率达到 960 cm²/Vs，并且即使在高薄层电荷下也能保持高空穴迁移率。
引用
@article{arxiv.1108.5507,
title = {Enhancing hole mobility in III-V semiconductors},
author = {Aneesh Nainani and Brian. R. Bennett and J. Brad Boos and Mario G. Ancona and Krishna C. Saraswat},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.5507},
year = {2015}
}
备注
18 pages, 21 figures