基于原子层面第一性原理的 III-V 闪锌矿半导体电子结构
材料科学
2015-06-15 v1
摘要
为了分析半导体器件中的量子输运，准确的电子结构对于定量预测至关重要。在此，我们报道了对所有 III-V 闪锌矿半导体化合物电子结构的理论分析。我们的计算采用了密度泛函理论，并结合了近期提出的半局域交换 [F. Tran and P. Blaha, Phys. Rev. Lett. 102, 226401 (2009)]，在线性糕模轨道方案内进行。将计算得到的带隙和有效质量与实验数据进行了比较，并获得了良好的定量一致性。利用此处提出的理论方案，可以可靠地预测 III-V 化合物纳米结构中的量子输运。
引用
@article{arxiv.1303.7419,
title = {Electronic structures of III-V zinc-blende semiconductors from atomistic first principles},
author = {Yin Wang and Haitao Yin and Ronggen Cao and Ferdows Zahid and Yu Zhu and Lei Liu and Jian Wang and Hong Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.7419},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 2 figures