II-VI 半导体电子结构的真实紧束缚模型
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
我们在 LMTO 方法下分析 II-VI 半导体的电子结构，以构建能准确描述价带和导带的真实且最小化紧束缚模型。结果显示，最近邻 模型在广泛能量范围内能很好地描述这些体系的电子结构，无需使用虚构的 轨道。所得 hopping 参数遵循 Harrison 提出的普遍尺度律，确保可迁移性。此外，我们指出，这些化合物的某些细微键合特征需要除最近邻阳离子-阴离子相互作用外，还需包含阴离子-阴离子相互作用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0308048,
title = {Realistic Tight Binding Model for the Electronic Structure of II-VI Semiconductors},
author = {Sameer Sapra and N. Shanthi and D. D. Sarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0308048},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 9 figures